RS3DHE3_A/H
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Deutsch
Artikelnummer: | RS3DHE3_A/H |
---|---|
Hersteller / Marke: | Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
Teil der Beschreibung.: | DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB |
Datenblätte: |
|
RoHs Status: | |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
---|---|
1700+ | $0.262 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3 V @ 2.5 A |
Spannung - Sperr (Vr) (max) | 200 V |
Technologie | Standard |
Supplier Device-Gehäuse | DO-214AB (SMC) |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Serie | Automotive, AEC-Q101 |
Rückwärts-Erholzeit (Trr) | 150 ns |
Verpackung / Gehäuse | DO-214AB, SMC |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur - Anschluss | -55°C ~ 150°C |
Befestigungsart | Surface Mount |
Strom - Sperrleckstrom @ Vr | 10 µA @ 200 V |
Strom - Richt (Io) | 3A |
Kapazität @ Vr, F | 44pF @ 4V, 1MHz |
Grundproduktnummer | RS3D |
RS3DHE3_A/H Einzelheiten PDF [English] | RS3DHE3_A/H PDF - EN.pdf |
DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
RS3DBTR-13 Microsemi
DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
RS3DTR-13 Microsemi
150NS, 3A, 200V, FAST RECOVERY R
DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() RS3DHE3_A/HVishay General Semiconductor - Diodes Division |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|